· 通过硅封装器件的不同层测试MEMS动态特性

· 实时面外振动测试，最大带宽高达25 MHz

· 亚皮米级面外振动位移分辨率

· 易于集成至生产线上的自动测试系统(兼容商用探针台)

· 频闪法测试面内振动，带宽高达2.5 MHz

· 更好地分离器件的各个层

· MEMS器件的最终有限元模型验证

MSA-650 IRIS测试系统包括控制器、带有额外参考通道的信号发生器，超高精度红外光源的光学头和强大的配套软件包。其专用的红外相机和低相干SLD源，是在其透过硅帽获取完整硅封装结构在工作条件下的整个层制结构的动态特性的关键。

硅封装MEMS器件的模态测试

由于硅在波长为1050nm以上的近红外光谱中是透明的，基于红外干涉仪的振动测量技术使得获取密封MEMS器件最真实和最有代表性的振动特性成为可能。全新的最先进的且已获得专利技术的MSA系统能确保最佳数据质量，更好的分离MEMS器件的各个层。MSA-650 IRIS显微式激光测振仪内置专用红外相机和低相干SLD源，是目前世界上唯一能透过硅封装结构获取完整动态特性的系统，其实时面外振动带宽高达25MHz，面内振动分辨率低至30nm。

为了利用激光多普勒振动测量对封装MEMS器件进行深入研究，需要了解硅的光学特性。虽然硅对可见光是不透明的，但它在从波长1050nm起的近红外范围内则显示出良好的透射性。然而也有极限性，在波长为1550 nm时硅的折射率高达3.4，这导致在器件边界处有相当大的菲涅耳反射。采用低相干光来提高精度，该技术已荣获国际专利。与激光相反，超辐射二极管发出的低相干光只有在干涉仪中的光路与光源的相干长度相等时才会产生干涉，从而将焦点处以外的光排除在外。这一原理被用于白光干涉仪或光学相干层析术，现在首次用于激光多普勒测振仪(LDV)。对MEMS器件进行扫描测试时，带宽高达25 MHz，振幅分辨率达100 fm/ Hz。

※更多产品信息，请与我们联系